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       IGBT?榈姆蔡卣魇侵敢哉ぜ缪筕GE为参变量时,集电极电流IC与集电极电压VCE之间的关系曲线。伏安特征与BJT的输出特征相似,也可分为饱和区I、放大区II和击穿区III三部门。作为开关器件稳态时主要事情在饱和导通区。
       IGBT?榈淖铺卣魇侵讣缂涑龅缌鱅C与栅极电压之间的关系曲线。它与MOSFET的转移特征相同,当栅极电压VGE小于开启电压VGE(th)时,处于关断状态。在IGBT导通后的大部门集电极电流规模内,IC与VGE呈线性关系。



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