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IGBT电镀？槭虑樵
（1）要领
        IGBT是将强电流、高压应用和快速终端装备用垂直功率MOSFET的自然进化。由于实现一个较高的击穿电压BVDSS需要一个源漏通道，而这个通道却具有高的电阻率，因而造乐成率MOSFET具有RDS（on）数值高的特征，IGBT消除了现有功率MOSFET的这些主要弱点。虽然功率MOSFET器件大幅度刷新了RDS（on）特征，可是在高电平时，功率导通消耗仍然要比IGBT手艺横跨许多。较低的压降，转换成一个低VCE（sat）的能力，以及IGBT的结构，统一个尺度双极器件相比，可支持更高电流密度，并简化IGBT驱动器的原理图。