IGBT绝悦魅栅双极型晶体管，是由BJT（双极型三极管）和MOS（绝悦魅栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。
1. 什么是IGBT模块
IGBT？槭怯蒊GBT（绝悦魅栅双极型晶体管芯片）与FWD（续流二极管芯片）通过特定的电路桥接封装而成的？榛氲继宀铮环庾昂蟮腎GBT模块直接应用于变频器、UPS不中止电源等装备上；
IGBT？榫哂邪沧拔蘩、散热稳固等特点；当前市场上销售的多为此类？榛，一样平常所说的IGBT也指IGBT？椋
IGBT是能源变换与传输的焦点器件，俗称电力电子装置的“CPU”，作为国家战略性新兴工业，在轨道交通、智能电网、航空航天、电动汽车与新能源装备等领域应用广。
2. IGBT电镀？事情原理
（1）要领
IGBT是将强电流、高压应用和快速终端装备用垂直功率MOSFET的自然进化。由于实现一个较高的击穿电压BVDSS需要一个源漏通道，而这个通道却具有高的电阻率，因而造乐成率MOSFET具有RDS（on）数值高的特征，IGBT消除了现有功率MOSFET的这些主要弱点。虽然功率MOSFET器件大幅度刷新了RDS（on）特征，可是在高电平时，功率导通消耗仍然要比IGBT手艺横跨许多。较低的压降，转换成一个低VCE（sat）的能力，以及IGBT的结构，统一个尺度双极器件相比，可支持更高电流密度，并简化IGBT驱动器的原理图。
（2）导通
IGBT硅片的结构与功率MOSFET的结构相似，主要差异是IGBT增添了P+基片和一个N+缓冲层（NPT-非穿通-IGBT手艺没有增添这个部门）。其中一个MOSFET驱动两个双极器件。基片的应用在管体的P+和N+区之间建设了一个J1结。当正栅偏压使栅极下面反演P基区时，一个N沟道形成，同时泛起一个电子流，并完全凭证功率MOSFET的方式发生一股电流。若是这个电子流发生的电压在0.7V规模内，那么，J1将处于正向偏压，一些空穴注入N-区内，并调整阴阳极之间的电阻率，这种方式降低了功率导通的总消耗，并启动了第二个电荷流。最后的效果是，在半导体条理内暂时泛起两种差异的电流拓扑：一个电子流（MOSFET电流）；一个空穴电流（双极）。
（3）关断
当在栅极施加一个负偏压或栅压低于门限值时，沟道被榨取，没有空穴注入N-区内。在任何情形下，若是MOSFET电流在开关阶段迅速下降，集电极电流则逐渐降低，这是由于换向最先后，在N层内还存在少数的载流子（少子）。这种残余电流值（尾流）的降低，完全取决于关断时电荷的密度，而密度又与几种因素有关，如掺杂质的数目和拓扑，条理厚度和温度。少子的衰减使集电极电流具有特征尾流波形，集电极电流引起以下问题：功耗升高；交织导通问题，特殊是在使用续流二极管的装备上，问题越发显着。鉴于尾流与少子的重组有关，尾流的电流值应与芯片的温度、IC和VCE亲近相关的空穴移动性有亲近的关系。因此，凭证所到达的温度，降低这种作用在终端装备设计上的电流的不理想效应是可行的。
（4）阻断与闩锁
当集电极被施加一个反向电压时，J1就会受到反向偏压控制，耗尽层则会向N-区扩展。因过多地降低这个层面的厚度，将无法取得一个有用的阻断能力，以是，这个机制十分主要。另一方面，若是过大地增添这个区域尺寸，就会一连地提高压降。第二点清晰地说明晰NPT器件的压降比等效（IC和速率相同）PT器件的压降高的缘故原由。
当栅极和发射极短接并在集电极端子施加一个正电压时，P/NJ3结受反向电压控制，此时，仍然是由N漂移区中的耗尽层遭受外部施加的电压。
IGBT在集电极与发射极之间有一个寄生PNPN晶闸管。在特殊条件下，这种寄生器件会导通。这种征象会使集电极与发射极之间的电流量增添，对等效MOSFET的控制能力降低，通常还会引起器件击穿问题。晶闸管导通征象被称为IGBT闩锁，详细地说，这种缺陷的缘故原由互不相同，与器件的状态有亲近关系。通常情形下，静态和动态闩锁有如下主要区别：
当晶闸管所有导通时，静态闩锁泛起，只在关断时才会泛起动态闩锁。这一特殊征象严重地限制了清静操作区。为防止寄生NPN和PNP晶体管的有害征象，有须要接纳以下措施：防止NPN部门接通，划分改变结构和掺杂级别，降低NPN和PNP晶体管的总电流增益。此外，闩锁电流对PNP和NPN器件的电流增益有一定的影响，因此，它与结温的关系也很是亲近；在结温顺增益提高的情形下，P基区的电阻率会升高，破损了整体特征。因此，器件制造商必须注重将集电极最大电流值与闩锁电流之间保持一定的比例，通常比例为1：5。
3. IGBT电镀模块应用
作为电力电子主要大功率主流器件之一，IGBT电镀？橐丫τ糜诩矣玫缙、交通运输、电力工程、可再生能源和智能电网等领域。在工业应用方面，如交通控制、功率变换、工业电机、不中止电源、风电与太阳能装备，以及用于自动控制的变频器。在消耗电子方面，IGBT电镀？橛糜诩矣玫缙、相机和手机。
